IPI50R199CPXKSA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPI50R199CPXKSA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO262-3 |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 139W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 17A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPI50R |
IPI50R199CPXKSA1 Einzelheiten PDF [English] | IPI50R199CPXKSA1 PDF - EN.pdf |
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
infineon TO-262
N-CHANNEL POWER MOSFET
IPI50CN10NG INFINEON
IPI50CN10N G INFINEON
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MOSFET N-CH 550V 10A TO262-3
IPI50R399CP(5R399P) INFINEON
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPI50R199CPXKSA1Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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